半導体デバイスの基礎 中
- ダイオードと電界効果トランジスタ
- 本体価格：4,800円＋税
- B.L.アンダーソン/R.L.アンダーソン 著
- 樺沢宇紀 訳
- A5 / 並 / 391頁
- C 3055
- 2008年5月出版
- ISBN13：978-4-431-10029-4
- ISBN10：4-431-10029-6
- 原書書名：Fundamentals of Semicondoctor Devices
- ISBN13：978-0-0723-6977-9
概要
半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書．一般の理工系学生を読者として想定し，特別な予備知識を前提とせずに，徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う．中巻では，前半にダイオードの動作原理と動作特性について，誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える．後半では代表的な3端子素子である電界効果トランジスタ（FET）の動作を，基礎的な長チャネルモデルから説き起こして，現実的な微細素子の特性に至るまで論じる．CMOS回路やメモリー（記憶装置）への応用も簡単に紹介する．
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